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onsemi | MJE253G

Référence fabricant

MJE253G

MJE Series 100 V 5 A PNP Complementary Silicon Power Plastic Transistor - TO-225

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
onsemi MJE253G - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Polarity: PNP
Type: Power Transistor
CE Voltage-Max: 100V
Collector Current Max: 4A
Power Dissipation-Tot: 1.5W
DC Current Gain-Min: 40
Style d'emballage :  TO-225 (TO-126, SOT-32)
Méthode de montage : Through Hole
Fonctionnalités et applications

The MJE253G is a Complementary Silicon Power Plastic Transistor with Collector-Emitter Voltage of 100 V, available in a TO-225 package.

Features:

  • High Collector-Emitter Sustaining Voltage -VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
  • High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc
    • hFE = 40-200
    • hFE = 40-120
  • Low Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
  • High Current Gain Bandwidth Product - fT = 40 MHz (Min) @ IC = 100 mAdc
  • Annular Construction for Low Leakages
    • ICBO = 100 nAdc (Max) @ Rated VCB
  • Pb-Free Packages are Available

Applications:

  • Switching Applications
  • Audio amplifiers

View the List of available MJE2 Series of Bipolar Transistors

Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Commande minimale :
2500
Multiples de :
500
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
725,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
500
$0.30
1 000
$0.295
2 000
$0.29
7 500+
$0.28
Product Variant Information section